Высказывания: Если начальник пытается произвести впечатление на подчиненных знанием деталей, он теряет из виду конечную цель. Правило Готлиба
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2N6678M3A
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2N6678M3A . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
175000
650
400
8
15000
-65+200
15000000
500
8-20
Производитель: SemeLab (TT Electronics.MAGNATEC) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2N6678M3A:
Корпус: TO-254AA. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N6678M3A
Общий вид транзистора 2N6678M3A.
Цоколевка транзистора 2N6678M3A.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.