Высказывания: Каждый несчастлив ровно на столько, насколько он сам считает себя несчастным. /Д.Леопарди/
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?)
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
80000
700
400
9
8000
150
9000000
8/40
Производитель: NXP Semiconductors Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?):
Tf(Fall Time)max=0,00000012s. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?)
Общий вид транзистора PHE13007 (РНЕ13007 ?EB13007?).
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.