Высказывания: Грабь, хватай, копи, владей - все придется оставить. Марциал
Основные параметры биполярного высокочастотного pnp транзистора 2SA1412-Z
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2SA1412-Z . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
2000
400
400
7
4000
-55+150
40000000
30
10-120
Производитель: Renesas (NEC. Hitachi) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2SA1412-Z:
Корпус: TO-252. Ton 30nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SA1412-Z
Общий вид транзистора 2SA1412-Z.
Цоколевка транзистора 2SA1412-Z.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.