Высказывания: Если бы Бог назначил женщину быть госпожой мужчины, он сотворил бы ее из головы, если бы - рабой, то сотворил бы из ноги; но так как он назначил ей быть подругой и равной мужчине, то сотворил из ребра. Аврелий Августин
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора KSG13003AR
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора KSG13003AR . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
1500
700
400
9
3000
-65+150
4000000
21
5-35
Производитель: SemiHow Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора KSG13003AR:
Корпус: TO-92L. Ton 1100nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора KSG13003AR
Общий вид транзистора KSG13003AR.
Цоколевка транзистора KSG13003AR.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
