Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2SA933AS.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
11.9.2023 О создании технологии массового производства ...

23.6.2023 Российские учёные вместе с коллегами из Итали...

23.6.2023 Начался приём заказов на серийно выпускаемые ...



Мысли и афоризмы:
Что есть лучшего? - Сравнив прошедшее, свести его с настоящим.
Козьма Прутков.



Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора 2SA933AS

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора 2SA933AS . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
20060506150-140000000 -120-560

Производитель: CJ-Elec
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора 2SA933AS: Корпус: TO-92S.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2SA933AS

Общий вид транзистора 2SA933AS.Цоколевка транзистора 2SA933AS.
Общий вид транзистора 2SA933AS Цоколевка транзистора 2SA933AS

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2017-01-24 14:27:58.


Аналоги транзистора 2SA933AS


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SA933AS.

Вы знаете больше о транзисторе 2SA933AS, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2SA933AS.
Добавить рисунок транзистора 2SA933AS.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2SA933AS.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2023. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru