Высказывания: Когда указываешь пальцем на других, посмотри что три других пальца указывают на тебя. Имам Шамиль
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора HLD123DM
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора HLD123DM . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
30000
700
400
9
1800
150
1000000
8/40
Производитель: HF-SEMI (SHENZHEN HUAFENG INDUSTRY CO., LTD) Сфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HLD123DM
Общий вид транзистора HLD123DM.
Цоколевка транзистора HLD123DM.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Дата создания страницы: 2014-11-10 08:24:19; Пользователь: Д..
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.