Юмор: Женщины непобедимы… Сегодня слышал, как маленькая девочка лет 6-7 кричит на мальчика обиженным голосом, почти плача: 'Отдай, это не твоя конфета, я твою уже съела!'
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2N5191G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2N5191G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
40000
60
60
5
7000
-65+150
2000000
-
10-100
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2N5191G:
Корпус: TO-225. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N5191G
Общий вид транзистора 2N5191G.
Цоколевка транзистора 2N5191G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.