Высказывания: Когда между собакой и кошкой вдруг возникает дружба, то это ни что иное, как союз против повара. Стефан Цвейг.
Основные параметры биполярного, низкочастотного, pnp транзистора TIP117G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, pnp транзистора TIP117G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
50000
100
100
5
4000
-65+150
25000000
200
500
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора TIP117G:
Корпус: TO-220. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора TIP117G
Общий вид транзистора TIP117G.
Цоколевка транзистора TIP117G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
