Высказывания: Любое действие, для которого нет никакого логического объяснения, следует считать "политикой фирмы". Второй закон больших корпораций
Основные параметры биполярного, низкочастотного, pnp транзистора MJD127T4G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, pnp транзистора MJD127T4G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
20000
100
100
5
16000
-65+150
4000000
300
100-12000
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJD127T4G:
Корпус: TO-252. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJD127T4G
Общий вид транзистора MJD127T4G.
Цоколевка транзистора MJD127T4G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
