Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора NJL0302DG.

Главная О сайте Теория Практика Контакты    Будь партнёром

Новости:
15.5.2023 Выключение занимает около секунды, включение ...
9.5.2023 С Днём Победы!!!...
7.4.2023 В лабораториях, к столетнему юбилею, наверняк...


Высказывания:
Если кошка достаточно долго пристально смотрит на холодильник, кто-то обязательно появится и вынет из него что-то вкусное.
Закон наблюдения за холодильником



Основные параметры биполярного, низкочастотного, pnp транзистора NJL0302DG

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, pnp транзистора NJL0302DG . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
18000026015000-30000000 -75-150

Производитель: ON
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора NJL0302DG: Корпус: TO-264-5.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора NJL0302DG

Общий вид транзистора NJL0302DG.Цоколевка транзистора NJL0302DG.
Общий вид транзистора NJL0302DG Цоколевка транзистора NJL0302DG

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-02-24 15:03:51.


Аналоги транзистора NJL0302DG


Коллективный разум. Дополнения для транзистора NJL0302DG.

Вы знаете больше о транзисторе NJL0302DG, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора NJL0302DG.
Добавить рисунок транзистора NJL0302DG.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора NJL0302DG.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.
Поиск транзистора по маркировке.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru