Высказывания: Желания мои весьма скромны. Портреты главы государства не должны превышать размер почтовой марки. Набоков Владимир Владимирович
Основные параметры биполярного, низкочастотного, pnp транзистора MJW21195
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, pnp транзистора MJW21195 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
200000
250
16000
-
4000000
-
20-80
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJW21195:
Корпус: TO-247. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJW21195
Общий вид транзистора MJW21195.
Цоколевка транзистора MJW21195.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
