Юмор: Девушки, если бы у вас был выбор: мир во всем мире или необлезающий маникюр, то какой цвет лака вы бы выбрали?
Основные параметры транзистора IRG4IBC30KD (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IRG4IBC30KD с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
45W
600V
2.21V
600V
±20V
9.2A
150°C
10-100KHz
920pF
Производитель: IRF Сфера применения: IGBT with ULTRAFAST DIODE Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRG4IBC30KD
Общий вид транзистора IRG4IBC30KD.
Цоколевка транзистора IRG4IBC30KD.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
