Высказывания: Нас постоянно пытаются загнать в какой то угол, за то, что мы имеем независимую позицию, за то что её отстаиваем, за то что называем вещи своими именами и не лицемерим. Россия оказалась на рубеже от которого не могла уже отступить. Если до упора сжимать пружину она когда-нибудь с силой разожмётся. Надо помнить об этом всегда. Путин В.В.
Основные параметры транзистора STGP10N60L (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора STGP10N60L с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
125W
600V
1.95V
600V
±15V
10A
150°C
700nS
1800pF
Производитель: STE Сфера применения: LOGIC LEVEL IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора STGP10N60L
Общий вид транзистора STGP10N60L.
Цоколевка транзистора STGP10N60L.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.