Биполярный транзистор SMBH1G200US60 с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
14.5.2024 Мировая экономическая нестабильность, высокая...

9.5.2024 С Днём Победы!!!...

27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...



Высказывания:
Кошка в состоянии покоя имеет обыкновение оставаться в состоянии покоя, если только на неё не воздействует какая-либо внешняя сила, такая как открывание банки кошачьего корма или шуршащая поблизости мышь.
Закон кошачьей инерции



Основные параметры транзистора SMBH1G200US60 (БТИЗ, IGBT).

Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора SMBH1G200US60 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Полярность: N-Channel

Pc maxUce maxUcesatUcg maxUeg maxIc maxTj max, °CFr (Ton/of)Cc tip
-600V2.1V--200A150°C100nS -

Производитель: FAIRCHILD
Сфера применения: Chopper Module
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора SMBH1G200US60

Общий вид транзистора SMBH1G200US60.Цоколевка транзистора SMBH1G200US60.
Общий вид транзистора SMBH1G200US60 Цоколевка транзистора SMBH1G200US60

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора SMBH1G200US60

Коллективный разум. Дополнения для транзистора SMBH1G200US60.

Вы знаете больше о транзисторе SMBH1G200US60, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора SMBH1G200US60.
Добавить рисунок транзистора SMBH1G200US60.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора SMBH1G200US60.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru