Высказывания: Приглашенные издалека специалисты всегда кажутся лучше доморощенных.
Основные параметры транзистора SNG201025 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора SNG201025 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
150W
1000V
3.5V
-
-
25A
150°C
500nS
-
Производитель: STC Сфера применения: Standard IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора SNG201025
Общий вид транзистора SNG201025.
Цоколевка транзистора SNG201025.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
