Высказывания: Смелость часто бывает следствием чувства обесцененности жизни, тогда как трусость всегда - следствие ложного преувеличения ее ценности.
Основные параметры транзистора APT33GF120B2RD (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора APT33GF120B2RD с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
300W
1200V
2.7V
1200V
±20V
33A
150°C
30/155nS
2200pF
Производитель: Advanced Power Сфера применения: Fast IGBT & FRED Diode Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора APT33GF120B2RD
Общий вид транзистора APT33GF120B2RD.
Цоколевка транзистора APT33GF120B2RD.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.