Высказывания: Чем сложнее и грандиознее план, тем больше шансов, что он провалится. Производная от закона Мерфи, предложенная Наггом
Основные параметры транзистора IXGA7N60C (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXGA7N60C с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
-
600V
-
-
-
14A
150°C
45nS
-
Производитель: IXYS Сфера применения: HIGH SPEED TYPES Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXGA7N60C
Общий вид транзистора IXGA7N60C.
Цоколевка транзистора IXGA7N60C.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
