Высказывания: Выходя на тропу войны, герой тот, кто не думает о последствиях. Имам Шамиль
Основные параметры транзистора HGTD6N40E1S (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора HGTD6N40E1S с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
60W
400V
2.5V
400V
±20V
7.5A
150°C
90/24nS
-
Производитель: HARRIS Сфера применения: Fast Switching Speeds IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HGTD6N40E1S
Общий вид транзистора HGTD6N40E1S.
Цоколевка транзистора HGTD6N40E1S.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
