Биполярный транзистор IXSX40N60CD1 с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
14.5.2024 Мировая экономическая нестабильность, высокая...

9.5.2024 С Днём Победы!!!...

27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...



Высказывания:
Когда во второй раз выходит замуж женщина, это означает, что она ненавидела своего первого мужа; когда вторично женится мужчина, это происходит потому, что он обожал свою первую жену.
Оскар Уайльд



Основные параметры транзистора IXSX40N60CD1 (БТИЗ, IGBT).

Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXSX40N60CD1 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Полярность: N-Channel

Pc maxUce maxUcesatUcg maxUeg maxIc maxTj max, °CFr (Ton/of)Cc tip
280W600V2.5V600V±20V75A150°C50/70nS 3700pF

Производитель: IXYS
Сфера применения: High Speed IGBT with Diode
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора IXSX40N60CD1

Общий вид транзистора IXSX40N60CD1.Цоколевка транзистора IXSX40N60CD1.
Общий вид транзистора IXSX40N60CD1 Цоколевка транзистора IXSX40N60CD1

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора IXSX40N60CD1

Коллективный разум. Дополнения для транзистора IXSX40N60CD1.

Вы знаете больше о транзисторе IXSX40N60CD1, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора IXSX40N60CD1.
Добавить рисунок транзистора IXSX40N60CD1.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора IXSX40N60CD1.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru