Юмор: На приёме в американском посольстве посол США похвастался, что, дескать, есть у них в штате Алабама колдун – мёртвых поднимает. Присутствующий на приеме В.М. Молотов невозмутимо отметил, что и в СССР есть замечательный спортсмен, который бегом обгоняет самолёт. Н.С. Хрущёв, прослышав про этот факт, вызвал к себе Молотова. - Ты чего это, Михалыч, языком треплешь? А ну как – потребуют предъявить чудо-спортсмена? - Мы сначала потребуем, чтобы они своего некроманта предъявили. - А если предъявят? - Потребуем проверки, пусть подымет… Сталина, к примеру. - А ну как, – подымет? - Тогда ты, Никита, не то что самолёт – ракету обгонишь!
Основные параметры транзистора 27N60C3DR (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора 27N60C3DR с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
208W
600V
1.8V
600V
±20V
54A
150°C
38/250nS
-
Производитель: INTERSIL Сфера применения: Rugged UFS Series N-Channel IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 27N60C3DR
Общий вид транзистора 27N60C3DR.
Цоколевка транзистора 27N60C3DR.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.