Высказывания: 1. Если в деловых письмах и не будет ни одной ошибки, то на почте что-нибудь да напутают. Следствие: Ошибки обнаружит во вторых экземплярах босс, когда начнет их читать. Шесть законов конторской Мерфологии
Основные параметры транзистора APT11GF120KR (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора APT11GF120KR с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
125W
1200V
-
1200V
±20V
11A
150°C
20KHz
800pF
Производитель: Advanced Power Сфера применения: Fast IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора APT11GF120KR
Общий вид транзистора APT11GF120KR.
Цоколевка транзистора APT11GF120KR.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
