Высказывания: Никогда не вступайте ни во что мягкое. Постулат Пуллиама
Основные параметры транзистора IXST30N60CD1 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXST30N60CD1 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
250W
600V
2.5V
600V
±20V
55A
150°C
30/90nS
3100pF
Производитель: IXYS Сфера применения: High Speed IGBT with Diod Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXST30N60CD1
Общий вид транзистора IXST30N60CD1.
Цоколевка транзистора IXST30N60CD1.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
