Высказывания: Тестирование - это процесс нахождения ошибок в тесте. Хороший тест должен содержать ошибки, компенсирующие их нехватку в тестируемой программе. Определение
Основные параметры транзистора IXGH32N60BU1 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXGH32N60BU1 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
-
600V
-
-
-
60A
175°C
80nS
-
Производитель: IXYS Сфера применения: IGBT with FRED diode Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXGH32N60BU1
Общий вид транзистора IXGH32N60BU1.
Цоколевка транзистора IXGH32N60BU1.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
