Высказывания: Она была вполне счастлива, имея состоятельного, умственно превосходящего её мужа и двоих детей; она лениво нежилась в своём уютном, обеспеченном, укрытом от бурь существовании. Но бывает в воздухе такое затишье, которое будит чувственность не меньше, чем духота и грозы, такая равномерная температура счастья, которая взвинчивает сильнее всякого несчастья. Сытость раздражает так же, как и голод. Стефан Цвейг.
Основные параметры транзистора IXGT28N60B (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXGT28N60B с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
-
600V
-
-
-
40A
150°C
2.0nS
-
Производитель: IXYS Сфера применения: LOW SATURATION VOLTAGE IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXGT28N60B
Общий вид транзистора IXGT28N60B.
Цоколевка транзистора IXGT28N60B.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
