Параметры полевого транзистора IRF9Z35. Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты    Будь партнёром

Новости:
15.5.2023 Выключение занимает около секунды, включение ...
9.5.2023 С Днём Победы!!!...
7.4.2023 В лабораториях, к столетнему юбилею, наверняк...


Высказывания:
После поворота событий от плохого к худшему цикл повторится.



Основные параметры IRF9Z35 полевого транзистора p-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального IRF9Z35. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Структура (технология): MOSFET

Pd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxTj max, °CFr (Ton/of)Ciss tipRds
75W60V--15A150°C- --

Производитель: SAMSUNG
Сфера применения: -
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора IRF9Z35

Общий вид транзистора IRF9Z35.Цоколевка транзистора IRF9Z35.
Общий вид транзистора IRF9Z35 Цоколевка транзистора IRF9Z35

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.



Аналоги транзистора IRF9Z35





Коллективный разум. Дополнения для транзистора IRF9Z35.

Вы знаете больше о транзисторе IRF9Z35, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора IRF9Z35.
Добавить рисунок транзистора IRF9Z35.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора IRF9Z35.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.
Поиск транзистора по маркировке.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru