Параметры полевого транзистора HUF75545S3S. Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты    Будь партнёром

Новости:
15.5.2023 Выключение занимает около секунды, включение ...
9.5.2023 С Днём Победы!!!...
7.4.2023 В лабораториях, к столетнему юбилею, наверняк...


Высказывания:
Неважно, что что-то идет неправильно. Возможно это хорошо выглядит.
Первый закон Скотта



Основные параметры HUF75545S3S полевого транзистора n-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального HUF75545S3S. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Структура (технология): MOSFET

Pd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxTj max, °CFr (Ton/of)Ciss tipRds
-80V--75A150°C- -0.010

Производитель: INTERSIL
Сфера применения: UltraFET Power MOSFET
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора HUF75545S3S

Общий вид транзистора HUF75545S3S.Цоколевка транзистора HUF75545S3S.
Общий вид транзистора HUF75545S3S Цоколевка транзистора HUF75545S3S

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.



Аналоги транзистора HUF75545S3S





Коллективный разум. Дополнения для транзистора HUF75545S3S.

Вы знаете больше о транзисторе HUF75545S3S, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора HUF75545S3S.
Добавить рисунок транзистора HUF75545S3S.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора HUF75545S3S.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.
Поиск транзистора по маркировке.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru