Мысли и афоризмы: Бросая в воду камешки, смотри на круги, ими образуемые; иначе такое бросание будет пустою забавою. Козьма Прутков.
Основные параметры Si3812DV полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального Si3812DV. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): FET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
1.15W
20V
-
-
2.4A
150°C
2.1nS
-
0.125
Производитель: VISHAY Сфера применения: N-Channel with Schootky Diode Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора Si3812DV
Общий вид транзистора Si3812DV.
Цоколевка транзистора Si3812DV.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.