Параметры полевого транзистора SML601R3KN. Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
14.5.2024 Мировая экономическая нестабильность, высокая...

9.5.2024 С Днём Победы!!!...

27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...



Высказывания:
Есть два рода сострадания. Одно - малодушное и сентиментальное, оно, в сущности, не что иное, как нетерпение сердца, спешащего поскорее избавиться от тягостного ощущения при виде чужого несчастья; это не сострадание, а лишь инстинктивное желание оградить свой покой от страданий ближнего. Но есть и другое сострадание - истинное, которое требует действий, а не сантиментов, оно знает, чего хочет, и полно решимости, страдая и сострадая, сделать все, что в человеческих силах и даже свыше их.
Стефан Цвейг.



Основные параметры SML601R3KN полевого транзистора n-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального SML601R3KN. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: N-Channel
Структура (технология): MOSFET

Pd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxTj max, °CFr (Ton/of)Ciss tipRds
180W600V--7.5A150°C20/47nS 950pF1.3

Производитель: SEMELAB
Сфера применения: -
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора SML601R3KN

Общий вид транзистора SML601R3KN.Цоколевка транзистора SML601R3KN.
Общий вид транзистора SML601R3KN Цоколевка транзистора SML601R3KN

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.



Аналоги транзистора SML601R3KN





Коллективный разум. Дополнения для транзистора SML601R3KN.

Вы знаете больше о транзисторе SML601R3KN, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора SML601R3KN.
Добавить рисунок транзистора SML601R3KN.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора SML601R3KN.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru