Высказывания: Язык не пойдет в ногу с образованием , не будет отвечать современным потребностям , если не дадут ему выработаться из своего сока и корня, перебродить на своих дрожжах. В.И. Даль
Основные параметры IRFS541 полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального IRFS541. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
40W
80V
-
-
28A
150°C
-
-
-
Производитель: SAMSUNG Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRFS541
Общий вид транзистора IRFS541.
Цоколевка транзистора IRFS541.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
