Высказывания: Подожди - и плохое само собой исчезнет, ... нанеся положенный ущерб.
Основные параметры RFD8P06LESM полевого транзистора p-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального RFD8P06LESM. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: P-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
-
60V
-
-
8A
150°C
-
-
0.300
Производитель: INTERSIL Сфера применения: ESD Rated. Logic Level. Power MOSFE Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора RFD8P06LESM
Общий вид транзистора RFD8P06LESM.
Цоколевка транзистора RFD8P06LESM.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
