Параметры полевого транзистора RF1K49223. Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
Каждая радикальная идея - о науке, политике, искусстве - вызывает три стадии ответной реакции: //1."Это невозможно, и не отнимайте у меня время!"//2."Может быть и так, но, право, не стоит за это браться..."//3."Я же всегда говорил, что это отличная мысль!"
Закон Кларка о радикальных идеях



Основные параметры RF1K49223 полевого транзистора p-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального RF1K49223. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: P-Channel
Структура (технология): MOSFET

Pd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxTj max, °CFr (Ton/of)Ciss tipRds
-30V--2.5A150°C- -0.150

Производитель: INTERSIL
Сфера применения: LittleFETTM Dual Power MOSFET 2
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора RF1K49223

Общий вид транзистора RF1K49223.Цоколевка транзистора RF1K49223.
Общий вид транзистора RF1K49223 Цоколевка транзистора RF1K49223

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.



Аналоги транзистора RF1K49223





Коллективный разум. Дополнения для транзистора RF1K49223.

Вы знаете больше о транзисторе RF1K49223, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора RF1K49223.
Добавить рисунок транзистора RF1K49223.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора RF1K49223.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru