Высказывания: Доступность операции - еще не показатель того, что ее надо делать.
Основные параметры FDD5202P полевого транзистора p-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального FDD5202P. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
39W
60V
-
-
8A
150°C
22nS
560pF
0.3
Производитель: FAIRCHILD Сфера применения: Surface-Mount Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FDD5202P
Общий вид транзистора FDD5202P.
Цоколевка транзистора FDD5202P.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
