Параметры полевого транзистора STV8NA50. Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
14.5.2024 Мировая экономическая нестабильность, высокая...

9.5.2024 С Днём Победы!!!...

27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...



Высказывания:
Не доверяйте тому, что вы слышали; не доверяйте традициям, так как их передавали из поколения в поколение; не доверяйте ничему, если это является слухом или мнением большинства; не доверяйте, если это является лишь записью высказывания какого-то старого мудреца; не доверяйте догадкам; не доверяйте тому, что вы считаете правдой, к чему вы привыкли; не доверяйте одному голому авторитету ваших учителей и старейшин. После наблюдения и анализа, когда он согласуется с рассудком и способствует благу и пользе одного и каждого, тогда принимайте это и живите согласно ему
Гаутама Будда (400 г. до нашей эры)



Основные параметры STV8NA50 полевого транзистора n-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального STV8NA50. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: N-Channel
Структура (технология): MOSFET

Pd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxTj max, °CFr (Ton/of)Ciss tipRds
125W500V--8A150°C- -0.850

Производитель: STE
Сфера применения: High switching speed and low gate c
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора STV8NA50

Общий вид транзистора STV8NA50.Цоколевка транзистора STV8NA50.
Общий вид транзистора STV8NA50 Цоколевка транзистора STV8NA50

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.



Аналоги транзистора STV8NA50





Коллективный разум. Дополнения для транзистора STV8NA50.

Вы знаете больше о транзисторе STV8NA50, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора STV8NA50.
Добавить рисунок транзистора STV8NA50.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора STV8NA50.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru