Высказывания: Если вы с первого раза сумели написать программу, в которой транслятор не обнаружил ни одной ошибки, сообщите об этом системному программисту.Он исправит ошибки в трансляторе. Указание начинающему программисту
Основные параметры IRFR111 полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального IRFR111. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
25W
80V
-
-
4.7A
150°C
-
-
-
Производитель: SAMSUNG Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRFR111
Общий вид транзистора IRFR111.
Цоколевка транзистора IRFR111.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
