Высказывания: Не бойтесь друзей - друг может только предать, не бойтесь врагов - враг может только убить, бойтесь равнодушных - именно с их молчаливого согласия происходит и предательство, и убийство.
Основные параметры STP4N90 полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального STP4N90. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
100W
900V
-
-
3.6A
150°C
-
-
3.500
Производитель: STE Сфера применения: ENHANCEMENT MODE POWER MOS Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора STP4N90
Общий вид транзистора STP4N90.
Цоколевка транзистора STP4N90.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
