Высказывания: Деталь, которую завод забыл поставить, обеспечивает 75% объема поставок. Разобравшись, вы легко обнаружите, что завод не только забыл ее поставить, но 50% времени ее вообще не производил. Закон прикладной неразберихи
Основные параметры IXTH10P50 полевого транзистора p-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального IXTH10P50. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: P-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
300W
500V
500V
±20V
10A
150°C
160nS
4700pF
0.9
Производитель: IXYS Сфера применения: Avalanche Rated MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXTH10P50
Общий вид транзистора IXTH10P50.
Цоколевка транзистора IXTH10P50.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.