Высказывания: Разумный гонится не за тем, что приятно, а за тем, что избавляет от неприятностей
Основные параметры RFG60P06E полевого транзистора p-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального RFG60P06E. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: P-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
-
60V
-
-
60A
150°C
-
-
0.030
Производитель: INTERSIL Сфера применения: ESD Rated. P-Channel Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора RFG60P06E
Общий вид транзистора RFG60P06E.
Цоколевка транзистора RFG60P06E.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
