Параметры полевого транзистора RFP8P06LE. Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Юмор:
Перед свадьбой:
ОН: Ура! Наконец-то! Я уже дождаться не мог!
ОНА: Может мне уйти?
ОН: Нет, даже не думай об этом!
ОНА: Ты меня любишь?
ОН: Конечно!
ОНА: Ты мне когда-нибудь изменял?
ОН: Нет, как тебе такое в голову пришло?
ОНА: Будешь меня целовать?
ОН: Буду!
ОНА: Будешь меня бить?
ОН: Ни в коем случае!
ОНА: Могу тебе верить?
После свадьбы - читать снизу вверх...



Основные параметры RFP8P06LE полевого транзистора p-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального RFP8P06LE. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: P-Channel
Структура (технология): MOSFET

Pd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxTj max, °CFr (Ton/of)Ciss tipRds
-60V--8A150°C- -0.300

Производитель: INTERSIL
Сфера применения: ESD Rated. Logic Level. Power MOSFE
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора RFP8P06LE

Общий вид транзистора RFP8P06LE.Цоколевка транзистора RFP8P06LE.
Общий вид транзистора RFP8P06LE Цоколевка транзистора RFP8P06LE

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.



Аналоги транзистора RFP8P06LE





Коллективный разум. Дополнения для транзистора RFP8P06LE.

Вы знаете больше о транзисторе RFP8P06LE, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора RFP8P06LE.
Добавить рисунок транзистора RFP8P06LE.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора RFP8P06LE.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru