Высказывания: И чтo бы тaм нe пpoиcxoдилo, нe cтoит вocпpинимaть жизнь cлишкoм вcepьёз, вcё paвнo нaм из нeё живыми нe выбpaтьcя.
Основные параметры транзистора UN211H биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора UN211H . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
200mW
50V
50V
6V
100mA
150°C
80MHz
-
30MIN
Производитель: MATSUSHITA Сфера применения: Digital, Internal Rezistors R1=2.2K,R2=10K Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора UN211H
Общий вид транзистора UN211H.
Цоколевка транзистора UN211H.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.