Высказывания: Самое страшное оружие Земли - это школьницы в матросских костюмчиках. Дополнение Исаму: И крик 'НЕЕЕЕЕЕЕЕЕЕТ'. Уточнение Мегатрона: Крик 'НЕЕЕЕЕЕЕЕЕЕТ' со стороны захватчиков не дает никаких результатов. 5-ый закон Инопланетного Вторжения
Основные параметры транзистора UMC6N биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора UMC6N . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: p/n
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
100mW
50V
-
-
100mA
150°C
140MHz
-
82MIN
Производитель: ROHM Сфера применения: Dual, Digital, Internal Rezistors Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора UMC6N
Общий вид транзистора UMC6N.
Цоколевка транзистора UMC6N.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.