Наш век.: Не плоть, а дух растлился в наши дни, И человек отчаянно тоскует… Он к свету рвётся из ночной тени И, свет обретши, ропщет и бунтует.
Безверием палим и иссушён, Невыносимое он днесь выносит… И сознаёт свою погибель он, И жаждет веры — но о ней не просит…
Не скажет ввек, с молитвой и слезой, Как ни скорбит пред замкнутою дверью: “Впусти меня! — Я верю, Боже мой! Приди на помощь моему неверью!..”
Тютчев Фёдор Иванович
Основные параметры транзистора TIP35F биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP35F . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
90W
200V
160V
5V
25A
150°C
3MHz
-
20/100
Производитель: TI Сфера применения: High Power, High Voltage, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора TIP35F
Общий вид транзистора TIP35F.
Цоколевка транзистора TIP35F.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.