Высказывания: Я вынужден думать, что существует нечто подобное сверхъестественному началу моего уникального, сознающего себя духа и моей уникальной души... Идея сверхъестественного творения помогает мне избежать очевидно нелепого умозаключения о генетическом происхождении моего уникального «Я» Из лекции нейрофизиолога Джона ЭККЛЗА (род. 1903) во время получения им Нобелевской премии.
Основные параметры транзистора MP2906AR биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора MP2906AR . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
400mW
60V
60V
5V
600mA
200°C
200MHz
8
40/120
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: Medium Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MP2906AR
Общий вид транзистора MP2906AR.
Цоколевка транзистора MP2906AR.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.