Юмор: Встречаются два друга. Один другому: - Ой, Ося! Я не пойму, шо всем так нравится этот Басков? Шепелявит, не в такт попадает, хрипит... - Изя, а ты слушал Баскова? - Нет, мне Рабинович напел.
Основные параметры транзистора MMBT5771 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора MMBT5771 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
225mW
15V
15V
4.5V
200mA
150°C
-
3
35/120
Производитель: NSC Сфера применения: Medium Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MMBT5771
Общий вид транзистора MMBT5771.
Цоколевка транзистора MMBT5771.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.