Мысли и афоризмы: Всякий необходимо причиняет пользу, употребленный на своем месте. Так, упражнения лучшего танцмейстера в химии - бесполезны, советы опытного астронома в танцах - глупы. Козьма Прутков.
Основные параметры транзистора KSA733-G биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора KSA733-G . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
250mW
60V
50V
5V
150mA
150°C
50MHz
2.8
200MIN
Производитель: SAMSUNG Сфера применения: Low Power, Low Noise, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора KSA733-G
Общий вид транзистора KSA733-G.
Цоколевка транзистора KSA733-G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.