Основные параметры транзистора KSA1406F биполярного сверхвысокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного pnp транзистора KSA1406F . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
7W
200V
200V
4V
100mA
150°C
400MHz
2.3
160MIN
Производитель: SAMSUNG Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора KSA1406F
Общий вид транзистора KSA1406F.
Цоколевка транзистора KSA1406F.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
