Высказывания: Обратить свою внутреннюю растерзанность в наслаждение - искусство высочайшее. А делается это так: надо заставить мир жить твоей жизнью, тосковать твоей тоской. Очень давно я чисто инстинктивно сформулировал жизненное кредо: надо заставить других принять мои странности как должное и нужное - и человеческое сочувствие избавит меня от тоски. Сальвадор Дали
Основные параметры транзистора 2N1431 биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N1431 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
180mW
-
15V
-
100mA
75°C
60MHz
3
75MIN
Производитель: ELN Сфера применения: RF, Low Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N1431
Общий вид транзистора 2N1431.
Цоколевка транзистора 2N1431.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
