Высказывания: Любые издержки на рекламную кампанию - больше, чем может позволить себе клиент; - меньше, чем ожидали люди из творческого отдела; - примерно такие, которых с ужасом опасались бухгалтеры. Пятый закон Фостера
Основные параметры транзистора GFT25R биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора GFT25R . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
80mW
15V
-
-
50mA
75°C
850KHz
-
50MIN
Производитель: Tekade* Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора GFT25R
Общий вид транзистора GFT25R.
Цоколевка транзистора GFT25R.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
