Высказывания: Каждая радикальная идея - о науке, политике, искусстве - вызывает три стадии ответной реакции: //1."Это невозможно, и не отнимайте у меня время!"//2."Может быть и так, но, право, не стоит за это браться..."//3."Я же всегда говорил, что это отличная мысль!" Закон Кларка о радикальных идеях
Основные параметры транзистора FMMT4356 биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора FMMT4356 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
350mW
80V
80V
5V
600mA
150°C
100MHz
30
30MIN
Производитель: ZETEX Сфера применения: Medium Power, High Voltage Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FMMT4356
Общий вид транзистора FMMT4356.
Цоколевка транзистора FMMT4356.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
