Юмор: Сели девушка и парень, на поезд в одно купэ, друг напротив друга, дорога долгая, а девушка сексуальная, прошло 20 минут, а парень на девушку внимания не обращает, тут она не вытерпела и... -Я что вам совсем не интересна? -очень даже интересны, как говорил мой прапорщик лучше 20 минут подождать чем 2 часа уговаривать.
Основные параметры транзистора ESM750 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора ESM750 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
150W
900V
450V
5V
12A
150°C
-
-
4MIN
Производитель: STE Сфера применения: Power, High Voltage, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора ESM750
Общий вид транзистора ESM750.
Цоколевка транзистора ESM750.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
