Высказывания: Свобода человека в современном мире похожа на свободу человека, разгадывающего кроссворд: теоретически, он может вписать любое слово, но на самом деле он должен вписать только одно, чтобы кроссворд решился. Альберт Эйнштейн
Основные параметры транзистора BUL58D биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора BUL58D . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
75W
800V
450V
9V
8A
150°C
-
-
8MIN
Производитель: STE Сфера применения: Power, Switching Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BUL58D
Общий вид транзистора BUL58D.
Цоколевка транзистора BUL58D.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.